Vishay lanza el driver IGBT/MOSFET VOW3120-X017T
IGBT/MOSFET driver de alta tensión de
aislamiento de Viorm=1414V y Viotm=8000V, que los hace idoneos para
trabajar en condiciones de alta tensión y/o ambientes industriales de
elevada polución, como podrían ser los inversores solares, control de
motores, y aplicaciones de alta tensión.
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Power MOSFET de Canal P de 3a Generación TrenchFET -40V y -30V.
Vishay extiende su oferta de
TrenchFETs de 3a generación y canal P, MOSFET de Potencia con unos
nuevos dispositivos -40 y -30V, en encapsulado PowerPAK. Presenta una
baja resistencia ON a -10V y -4.5V de conducción de puerta. El
dispositivo SiS443DN de Vishay Siliconix es el primer dispositivo GenIII
de canal P y -40V, mientras que el SiSS27N es el primer MOSFET -30Ven
encapsulado PowerPAK 1212-8S.
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